TABLE OF CONTENT
01     PCT PHOTOSTROMTESTER
02     DEFEKTANALYSE IN ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
03     PCT MESSPRINZIP
04     PCT MESSMODI
05     TESTBEISPIELE
06     ANWENDUNGSFELDER
07     KUNDENNUTZEN
08     AUSSTATTUNG UND KONFIGURATION
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01     GALLERIE
02     FLYER
03     PUBLIKATIONEN
 
 
DEFEKTANALYSE IN ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
 
TYPISCHE DEFEKTE, WIE SIE IN ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN AUFTRETEN KÖNNEN SIND:

  • "Black Spots“
  • Partikel
  • Beschichtungsinhomogenitäten
  • Kathodenfehler
  • Benetzungsunterschiede

ZUR UNTERSUCHUNG DIESER DEFEKTE WERDEN VERSCHIEDENSTE METHODEN EINGESETZT, U.A.:

  • Optische Inspektion mit dem Mikroskop
  • Ortsaufgelöste Inspektion der Emission
  • Elektrische Charakterisierung
  • AFM
  • Rasterelektronenmikroskopie

ALLE DIESE VERFAHREN HABEN JEDOCH ETLICHE NACHTEILE. SO SIND SIE OFT:

  • Nur für leuchtende Bauteile geeignet
  • Nicht zum Test des Endbauteils (inkl. Verkapselung) geeignet
  • Nur für die Gesamtbauteil Charakteristik ausgelegt, d.h. keine Ortsauflösung
  • Zerstörende Messmethode

Da die Fertigungsprozesse für die verschiedenen Anwendungsfelder organischer Halbleiterbauteile (OLED, OPV, etc.) weitgehend identisch sind, stellt die Einschränkung, dass die oben genannten Methoden nur für selbstleuchtende Bauteile anwendbar sind, einen enormen Nachteil dieser Analyseverfahren dar. Ein weiterer Nachteil dieser Methoden ist, dass sie nur der Visualisierung der Defekte dienen. Eine erste Ursachenanalyse, z. B. die Unterscheidung zwischen Grenzflächen- und Bulkeffekten, ist mit keiner dieser Methoden möglich.