TABLE OF CONTENT
01     PCT PHOTOSTROMTESTER
02     DEFEKTANALYSE IN ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
03     PCT MESSPRINZIP
04     PCT MESSMODI
05     TESTBEISPIELE
06     ANWENDUNGSFELDER
07     KUNDENNUTZEN
08     AUSSTATTUNG UND KONFIGURATION
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01     GALLERIE
02     FLYER
03     PUBLIKATIONEN
 
 
PCT MESSPRINZIP
 
Der PCT ermöglicht erstmals die Untersuchung von Defekten in organischen Halbleiterbauteilen ohne die oben genannten Nachteile und Einschränkungen. Das Prinzip der Photostrommessung ist universell für organische Halbleiter geeignet und somit nicht auf eine Anwendung (z.B. OLED oder OPV) beschränkt.

Beim Photostromtest wird der organische Halbleiter mit einem Laserstrahl angeregt. Diese optische Anregung führt im Material zur Exzitonenbildung (1). Ein Teil der erzeugten Exzitonen dissoziiert (2) und unter dem Einfluss des internen oder eines extern angelegten Feldes werden die gebildeten Elektronen und Löcher zu den Elektroden transportiert (3). Dort werden die Ladungsträger aus dem organischen Halbleiter extrahiert (4) und es kommt zum Stromfluß, der im PCT gemessen wird.


Die fundamentalen Prozesse (1)..(4) in der Photostrommessung, bestimmen ebenfalls die Funktionsweise von organischen Leuchtdioden, organischen Sensoren oder organischen Transistoren. Dadurch ist der PCT universell zur Untersuchung der verschiedenen Anwendungen organischer Halbleiter geeignet.

WICHTIGE KENNGRÖSSEN BEIM BETRIEB EINES ORGANISCHEN HALBLEITERBAUTEILS ALS SOLARZELLE SIND:

  • KURZSCHLUSSSTROM (Isc, ROTE KREISE):
    Photostrom ohne angelegte Spannung. Er ist im Wesentlichen bestimmt durch die Materialeigenschaften des organischen Halbleiters.
  • LEERLAUFSPANNUNG (Uoc, BLAUE KREISE):
    Spannung bei der der Photostrom gerade Null ist. Sie ist somit durch das organische Material und die Kontakte bestimmt.
  • BUILD-IN SPANNUNG (Ubi, GRÜNER KREIS):
    Spannung bei der sich die Photostrom-Spannungs-Kennlinien für verschiedene Beleuchtungsstärken schneiden. Sie ist im Wesentlichen durch die Kontakte bestimmt.

Somit ist durch die Kombination von Messungen dieser charakteristischen Kenngrößen eine Unterscheidung bezüglich des Material- und Kontakteinflusses möglich. Dies stellt einen ersten wichtigen Schritt in der Ursachenanalyse von Defekten und in der Untersuchung lokaler Unterschiede in der Performance organische Halbleiterbauteile dar.